Trench MOS是一种传统沟槽功率器件，具有高可靠性和高性价比，主要适用于中低压场合，尤其是在低压领域具有极高的性价比优势。琴芯微采用先进的沟槽技术进一步降低了传统trench MOSFET的导通电阻和FOM(RDSON*Qg)，充分将器件性能提高到硅极限水平，目前主要产品电压覆盖20V~100V产品系列。主要应用于DC-DC，电池管理系统、LED、电机驱动等等。
低导通电阻，低FOM，高EAS能力，高性价比。
Part Number | VDSS(V) | ID(A)@25℃ | V(GS)th(V)@250uA | RDS（on）（mΩ）25℃Max | QG(nC) | Packge | ||
| min | max | @VGS=10V | @VGS=4.5V | |||||
QMTO3N60 | 60 | 3 | 1.3 | 2.4 | 80 | 100 | 16 | SOT23-3L |
QMTO4N85 | 85 | 4 | 1 | 2.4 | 250 | - | 5.5 | SOT23-3L |
QMTO2N10 | 100 | 2 | 1.2 | 2.5 | 240 | - | 10 | SOT23-3L |
