Trench MOS 属于成熟的沟槽型功率器件，具备可靠的器件性能与良好的成本优势，多用于中低压应用场景，在低压工况中适配性较强。琴芯微依托成熟的沟槽技术，优化传统 Trench MOSFET 的导通电阻与 FOM 优值（RDSON*Qg），有效提升器件综合工作性能。产品电压覆盖 20V~100V 系列，广泛应用于 DC-DC 电源、电池管理系统、LED 驱动、电机驱动等领域。
● 导通电阻偏低，FOM 参数优异；
● 具备良好的 EAS 耐受性能，产品综合性价比良好。
Part Number | VDSS(V) | ID(A)@25℃ | V(GS)th(V)@250uA | RDS（on）（mΩ）25℃Max | QG(nC) | Packge | ||
| min | max | @VGS=10V | @VGS=4.5V | |||||
QMTO3N60 | 60 | 3 | 1.3 | 2.4 | 80 | 100 | 16 | SOT23-3L |
QMTO4N85 | 85 | 4 | 1 | 2.4 | 250 | - | 5.5 | SOT23-3L |
QMTO2N10 | 100 | 2 | 1.2 | 2.5 | 240 | - | 10 | SOT23-3L |
