产品中心

PRODUCT CENTER

产品概述

SGTMOSFET又名屏蔽栅MOSFET,是一种采用电荷耦合技术来实现极低导通压降的单极性功率器件,是一种非常适合中低压应用的高性能器件。琴芯微致力于开发高性能SGT MOSFET产品,目前覆盖40V~200V,最大电流达到300A,并且通过优化器件寄生电容,实现了极低FOM(RD SON*Qg)优质产品。


特性介绍

极低导通电阻,低FOM(RDSON*Qg),高EAS能力。

产品型号

Part Number

VDSS(V)

ID(A)@25℃

V(GS)th(V)@250uA

RDS(on)(mΩ)25℃Max
QG(nC)Packge
minmax@VGS=10V
@VGS=4.5V
QMGD10R7

100

94

1.1

2.3

7

9.5

50

TO-252





命名规则

1683621494551849.png




image.png






封装形式

1683621494551849.png



DFN5×6.jpgTO-252.jpg

DFN5*6

TO-252