SGTMOSFET又名屏蔽栅MOSFET，是一种采用电荷耦合技术来实现极低导通压降的单极性功率器件，是一种非常适合中低压应用的高性能器件。琴芯微致力于开发高性能SGT MOSFET产品，目前覆盖40V~200V，最大电流达到300A，并且通过优化器件寄生电容，实现了极低FOM(RD SON*Qg)优质产品。
极低导通电阻，低FOM(RDSON*Qg)，高EAS能力。
Part Number | VDSS(V) | ID(A)@25℃ | V(GS)th(V)@250uA | RDS（on）（mΩ）25℃Max | QG(nC) | Packge | ||
| min | max | @VGS=10V | @VGS=4.5V | |||||
| QMGD10R7 | 100 | 94 | 1.1 | 2.3 | 7 | 9.5 | 50 | TO-252 |
 |  |
DFN5*6 | TO-252 |
